AIHD03N60RFATMA1
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | AIHD03N60RFATMA1 |
説明: | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | Trench Field Stop |
包装 | Tape & Reel (TR) |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 17.1nC |
部地位 | Active |
-マックス | 53.6W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
実験条件 | 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V |
スイッチングエネルギー | 50µJ (on), 40µJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 10ns/128ns |
作動温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | PG-TO252-3-313 |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 2.5A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 5A |
現在-コレクターピン(Icm) | 7.5A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 600V |
在庫が 68 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.57 | $0.56 | $0.55 |
最小: 1