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AIHD10N60RFATMA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | AIHD10N60RFATMA1 |
| 説明: | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | Trench Field Stop |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 64nC |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 150W |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 実験条件 | 400V, 10A, 26Ohm, 15V |
| スイッチングエネルギー | 190µJ (on), 160µJ (off) |
| td (on / off) @ 25°c | 12ns/168ns |
| 作動温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | PG-TO252-3-313 |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 20A |
| 現在-コレクターピン(Icm) | 30A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 600V |
在庫が 72 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.92 | $0.90 | $0.88 |
最小: 1
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