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AIHD10N60RFATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: AIHD10N60RFATMA1
説明: IC DISCRETE 600V TO252-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tape & Reel (TR)
入力タイプ Standard
門電荷 64nC
部地位 Active
-マックス 150W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
実験条件 400V, 10A, 26Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 190µJ (on), 160µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 12ns/168ns
作動温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO252-3-313
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A
現在-コレクター・Ic (Max) 20A
現在-コレクターピン(Icm) 30A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 72 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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