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AUIRF1405ZS-7P

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	AUIRF1405ZS-7P
説明:	MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	4.9mOhm @ 88A, 10V
電力放蕩(マックス)	230W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	D2PAK (7-Lead)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	230nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	5360pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	120A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V