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AUIRF7799L2TR

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	AUIRF7799L2TR
説明:	MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	38mOhm @ 21A, 10V
電力放蕩(マックス)	4.3W (Ta), 125W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	DIRECTFET L8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	165nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	250V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	6714pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	375A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V