Image is for reference only , details as Specifications

BCR 183T E6327

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	BCR 183T E6327
説明:	TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Obsolete
-マックス	250mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SC-75, SOT-416
トランジスタタイプ	PNP - Pre-Biased
ベース部材番号	BCR183
抵抗基地(R1)	10 kOhms
周波数-遷移	200MHz
サプライヤー装置パッケージ	PG-SC-75
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	10 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	30 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V