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BCR08PNB6327XT

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート:	BCR08PNB6327XT
説明:	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Discontinued at Digi-Key
-マックス	250mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号	BCR08PN
抵抗基地(R1)	2.2kOhms
周波数-遷移	170MHz
サプライヤー装置パッケージ	PG-SOT363-6
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	47kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	-
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	70 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V