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BCR35PNE6433HTMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: BCR35PNE6433HTMA1
説明: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Obsolete
-マックス 250mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号 BCR35PN
抵抗基地(R1) 10kOhms
周波数-遷移 150MHz
サプライヤー装置パッケージ PG-SOT363-6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) -
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 70 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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