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BCR503E6393HTSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: BCR503E6393HTSA1
説明: TRANS PREBIAS PNP SOT23
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Last Time Buy
-マックス 330mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 2.2 kOhms
周波数-遷移 100MHz
サプライヤー装置パッケージ SOT-23-3
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 2.2 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max) 500mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 40 @ 50mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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