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BFG 19S E6327

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
データシート: BFG 19S E6327
説明: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
利得 14dB ~ 8.5dB
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Obsolete
-マックス 1W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-261-4, TO-261AA
トランジスタタイプ NPN
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 5.5GHz
サプライヤー装置パッケージ PG-SOT223-4
騷音図(dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
現在-コレクター・Ic (Max) 210mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 70 @ 70mA, 8V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 15V

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