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BFR182E6327HTSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
データシート: BFR182E6327HTSA1
説明: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
利得 12dB ~ 18dB
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 250mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 BFR182
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 8GHz
サプライヤー装置パッケージ SOT-23-3
騷音図(dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
現在-コレクター・Ic (Max) 35mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 70 @ 10mA, 8V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 12V

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