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BFR193WH6327XTSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
データシート: BFR193WH6327XTSA1
説明: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
利得 10.5dB ~ 16dB
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 580mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-70, SOT-323
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 BFR193
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 8GHz
サプライヤー装置パッケージ PG-SOT323-3
騷音図(dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
現在-コレクター・Ic (Max) 80mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 70 @ 30mA, 8V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 12V

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