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BSB013NE2LXIXUMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: BSB013NE2LXIXUMA1
説明: MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-WDSON
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.3mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ MG-WDSON-2, CanPAK M™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 12V
現在25%で安全連続(id) @°c 36A (Ta), 163A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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