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BSB056N10NN3GXUMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	BSB056N10NN3GXUMA1
説明:	MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	3-WDSON
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	5.6mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	MG-WDSON-2, CanPAK M™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	9A (Ta), 83A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6V, 10V