画像は参考までに、仕様書を参照してください
BSB104N08NP3GXUSA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | BSB104N08NP3GXUSA1 |
| 説明: | MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| vgs max | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 3-WDSON |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
| 作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 10.4mOhm @ 10A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 2.8W (Ta), 42W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 80V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 40V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 13A (Ta), 50A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 93 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.60 | $0.59 | $0.58 |
最小: 1
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