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BSB104N08NP3GXUSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: BSB104N08NP3GXUSA1
説明: MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-WDSON
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 10.4mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス) 2.8W (Ta), 42W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ MG-WDSON-2, CanPAK M™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c 13A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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