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BSC019N06NSATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	BSC019N06NSATMA1
説明:	DIFFERENTIATED MOSFETS
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	3.3V @ 74µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.95mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス)	136W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TDSON-8 FL
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	77nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	5.25nF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	100A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6V, 10V