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BSC050N10NS5ATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: BSC050N10NS5ATMA1
説明: TRENCH >=100V
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™ 5
fet234タイプ N-Channel
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 72µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス) 3W (Ta), 136W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TDSON-8-7
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 16A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

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