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BSC057N08NS3GATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: BSC057N08NS3GATMA1
説明: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 73µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5.7mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス) 2.5W (Ta), 114W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TDSON-8-5
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c 16A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

在庫が 46874 pcs

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