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BSC0921NDIATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: BSC0921NDIATMA1
説明: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate, 4.5V Drive
部地位 Active
-マックス 1W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5mOhm @ 20A, 10V
サプライヤー装置パッケージ PG-TISON-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 8.9nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1025pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 17A, 31A

在庫が 9950 pcs

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