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BSG0810NDIATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	BSG0810NDIATMA1
説明:	MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Logic Level Gate, 4.5V Drive
部地位	Active
-マックス	2.5W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 155°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	3mOhm @ 20A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	PG-TISON-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1040pF @ 12V
現在25%で安全連続(id) @°c	19A, 39A