画像は参考までに、仕様書を参照してください

BSG0811NDATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: BSG0811NDATMA1
説明: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate, 4.5V Drive
部地位 Active
-マックス 2.5W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3mOhm @ 20A, 10V
サプライヤー装置パッケージ PG-TISON-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 12V
現在25%で安全連続(id) @°c 19A, 41A

在庫が 39 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

BSC750N10NDGATMA1
Infineon Technologies
$0
IRF7910TRPBF
Infineon Technologies
$0
BSO615NGHUMA1
Infineon Technologies
$0
IRF7301TRPBF
Infineon Technologies
$0
IRF7331TRPBF
Infineon Technologies
$0