画像は参考までに、仕様書を参照してください
BSG0813NDIATMA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | BSG0813NDIATMA1 |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | - |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| fet特徴 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 2.5W |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| サプライヤー装置パッケージ | PG-TISON-8 |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 25V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 12V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 19A, 33A |
在庫が 56 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.95 | $0.93 | $0.91 |
最小: 1
要求引用
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