画像は参考までに、仕様書を参照してください
BSM100GB170DN2HOSA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Modules |
| データシート: | BSM100GB170DN2HOSA1 |
| 説明: | MODULE IGBT 1700V |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 入力 | Standard |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | - |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 1000W |
| 構成 | Half Bridge |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| ntc thermistor | No |
| パケット/場合 | Module |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | Module |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 100A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 145A |
| 入力容量(Cies) @ Vce | 16nF @ 25V |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 1mA |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1700V |
在庫が 73 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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