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BSM100GB170DN2HOSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: BSM100GB170DN2HOSA1
説明: MODULE IGBT 1700V
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ -
部地位 Obsolete
-マックス 1000W
構成 Half Bridge
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Module
作動温度 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 100A
現在-コレクター・Ic (Max) 145A
入力容量(Cies) @ Vce 16nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1700V

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