画像は参考までに、仕様書を参照してください

BSM35GD120DN2

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: BSM35GD120DN2
説明: IGBT BSM35GD120DN2BOSA1
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ NPT
部地位 Obsolete
-マックス 280W
構成 Three Phase Inverter
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Module
作動温度 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 35A
現在-コレクター・Ic (Max) 50A
入力容量(Cies) @ Vce 2nF @ 25V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 78 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

FP100R06KE3_B16
Infineon Technologies
$0
FS100R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
$0
IFS100B12N3E4_B39
Infineon Technologies
$0
FT150R12KE3G_B4
Infineon Technologies
$0
DF400R07PE4R_B6
Infineon Technologies
$0