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BSO615CGHUMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	BSO615CGHUMA1
説明:	MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	SIPMOS®
fet234タイプ	N and P-Channel
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	2W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号	BSO615
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	110mOhm @ 3.1A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	PG-DSO-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	22.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	3.1A, 2A