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BSP123E6327T

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	BSP123E6327T
説明:	MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	SIPMOS®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 50µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	6Ohm @ 370mA, 10V
電力放蕩(マックス)	1.79W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	PG-SOT223-4
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	370mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	2.8V, 10V