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BSP125H6327XTSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: BSP125H6327XTSA1
説明: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ SIPMOS®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V
電力放蕩(マックス) 1.8W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ PG-SOT223-4
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 120mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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