BSP129E6327
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | BSP129E6327 |
説明: | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | SIPMOS® |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Cut Tape (CT) |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | Depletion Mode |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-261-4, TO-261AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 108µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V |
電力放蕩(マックス) | 1.8W (Ta) |
サプライヤー装置パッケージ | PG-SOT223-4 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 5.7nC @ 5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 240V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 108pF @ 25V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 350mA (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 0V, 10V |
在庫が 89 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1