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BSR316PL6327HTSA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	BSR316PL6327HTSA1
説明:	MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	SIPMOS®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Discontinued at Digi-Key
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 170µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.8Ohm @ 360mA, 10V
電力放蕩(マックス)	500mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	PG-SC-59
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	165pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	360mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V