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BSS192PE6327T

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: BSS192PE6327T
説明: MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ SIPMOS®
fet234タイプ P-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-243AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 130µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 12Ohm @ 190mA, 10V
電力放蕩(マックス) 1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ PG-SOT89
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 250V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 104pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 190mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 2.8V, 10V

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