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BSS670S2L

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	BSS670S2L
説明:	MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 2.7µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	650mOhm @ 270mA, 10V
電力放蕩(マックス)	360mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	SOT-23-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	2.26nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	75pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	540mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V