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BSZ018NE2LSATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	BSZ018NE2LSATMA1
説明:	MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.8mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TSDSON-8-FL
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 12V
現在25%で安全連続(id) @°c	23A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V