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BSZ086P03NS3EGATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	BSZ086P03NS3EGATMA1
説明:	MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	P-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±25V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	3.1V @ 105µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	8.6mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TSDSON-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	57.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	4785pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	13.5A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6V, 10V