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BSZ0910NDXTMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	BSZ0910NDXTMA1
説明:	DIFFERENTIATED MOSFETS
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate, 4.5V Drive
部地位	Active
-マックス	1.9W (Ta), 31W (Tc)
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	9.5mOhm @ 9A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	PG-WISON-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	5.6nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	9.5A (Ta), 25A (Tc)