Image is for reference only , details as Specifications

BSZ110N08NS5ATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	BSZ110N08NS5ATMA1
説明:	MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 22µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	11mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス)	50W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TSDSON-8-FL
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	18.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c	40A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6V, 10V