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BSZ15DC02KDHXTMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: BSZ15DC02KDHXTMA1
説明: MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
fet234タイプ N and P-Channel Complementary
包装 Cut Tape (CT)
fet特徴 Logic Level Gate, 2.5V Drive
部地位 Active
-マックス 2.5W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 110µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ PG-TSDSON-8-FL
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 419pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 5.1A, 3.2A

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