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BSZ15DC02KDHXTMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	BSZ15DC02KDHXTMA1
説明:	MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
fet234タイプ	N and P-Channel Complementary
包装	Cut Tape (CT)
fet特徴	Logic Level Gate, 2.5V Drive
部地位	Active
-マックス	2.5W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 110µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	55mOhm @ 5.1A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	PG-TSDSON-8-FL
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	419pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	5.1A, 3.2A