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BTS282Z E3230

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	BTS282Z E3230
説明:	MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TEMPFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	Temperature Sensing Diode
部地位	Obsolete
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-7
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 240µA
作動温度	-40°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	6.5mOhm @ 36A, 10V
電力放蕩(マックス)	300W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	P-TO220-7-230
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	232nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	49V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	4800pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V