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DD1200S12H4HOSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: DD1200S12H4HOSA1
説明: MOD DIODE 1200A IHMB130-2
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ -
部地位 Active
-マックス 1200000W
構成 2 Independent
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 1200A
現在-コレクター・Ic (Max) 1200A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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