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DDB2U30N08VRBOMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: DDB2U30N08VRBOMA1
説明: IGBT MODULE 800V 50A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ -
部地位 Not For New Designs
-マックス 83.5W
構成 3 Independent
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor Yes
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 125°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 20A
現在-コレクター・Ic (Max) 25A
入力容量(Cies) @ Vce 880pF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 57 pcs

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最小: 1

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