画像は参考までに、仕様書を参照してください
DF11MR12W1M1B11BPSA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
| 説明: | MOSFET MOD 1200V 50A |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | CoolSiC™+ |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| fet特徴 | Silicon Carbide (SiC) |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 20mW |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パケット/場合 | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
| 作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 22.5mOhm @ 50A, 15V |
| サプライヤー装置パッケージ | AG-EASY1BM-2 |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 15V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 1200V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 3680pF @ 800V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 50A (Tj) |
在庫が 37 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $127.96 | $125.40 | $122.89 |
最小: 1
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