Image is for reference only , details as Specifications
DF200R12PT4B6BOSA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Modules |
| データシート: | DF200R12PT4B6BOSA1 |
| 説明: | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 入力 | Standard |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | Trench Field Stop |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 1100W |
| 構成 | Three Phase Inverter |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| ntc thermistor | Yes |
| パケット/場合 | Module |
| 作動温度 | -40°C ~ 150°C |
| サプライヤー装置パッケージ | Module |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 300A |
| 入力容量(Cies) @ Vce | 12.5nF @ 25V |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 15µA |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 89 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $181.13 | $177.51 | $173.96 |
最小: 1
要求引用
下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します
Bargain Finds