画像は参考までに、仕様書を参照してください
DF200R12W1H3B27BOMA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Modules |
| データシート: | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
| 説明: | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 入力 | Standard |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | - |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 375W |
| 構成 | 2 Independent |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| ntc thermistor | Yes |
| パケット/場合 | Module |
| 作動温度 | -40°C ~ 150°C |
| サプライヤー装置パッケージ | Module |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 30A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 30A |
| 入力容量(Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 1mA |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 53 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $50.67 | $49.66 | $48.66 |
最小: 1
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