画像は参考までに、仕様書を参照してください
DF23MR12W1M1B11BOMA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| 説明: | MOSFET MODULE 1200V 25A |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | CoolSiC™+ |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Tray |
| fet特徴 | Silicon Carbide (SiC) |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 20mW |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パケット/場合 | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
| 作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V |
| サプライヤー装置パッケージ | Module |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 15V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 1200V (1.2kV) |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 800V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 25A |
在庫が 57 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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