Image is for reference only , details as Specifications

F3L100R12W2H3B11BPSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: F3L100R12W2H3B11BPSA1
説明: IGBT MODULE VCES 600V 200A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ -
部地位 Active
-マックス 375W
構成 Three Phase Inverter
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor Yes
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 50A
現在-コレクター・Ic (Max) 100A
入力容量(Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 98 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$55.43 $54.32 $53.23
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

BSM50GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
$55.37
VS-GB50LP120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$57.61
FS75R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
$57.57
MG1215H-XBN2MM
Littelfuse Inc.
$60.22
IXGE200N60B
IXYS
$60.13