F4150R12KS4BOSA1
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Modules |
データシート: | F4150R12KS4BOSA1 |
説明: | IGBT MODULE VCES 1200V 150A |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Modules |
入力 | Standard |
シリーズ | - |
igbtタイプ | - |
部地位 | Active |
-マックス | 960W |
構成 | Three Phase Inverter |
取付タイプ | Chassis Mount |
ntc thermistor | Yes |
パケット/場合 | Module |
作動温度 | -40°C ~ 125°C |
サプライヤー装置パッケージ | Module |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 3.75V @ 15V, 150A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 180A |
入力容量(Cies) @ Vce | 10nF @ 25V |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 5mA |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 95 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$210.30 | $206.09 | $201.97 |
最小: 1