画像は参考までに、仕様書を参照してください

FD900R12IP4DVBOSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: FD900R12IP4DVBOSA1
説明: IGBT MODULE VCES 1200V 900A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
部地位 Active
-マックス 5100W
構成 Single
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor Yes
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 900A
現在-コレクター・Ic (Max) 900A
入力容量(Cies) @ Vce 54nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 5mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 70 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$495.77 $485.85 $476.14
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

FS300R17OE4BOSA1
Infineon Technologies
$491.12
IFS200V12PT4BOSA1
Infineon Technologies
$482.23
FF650R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
$465.43
FS225R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
$455.18
DF900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
$454.83