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FF11MR12W1M1B11BOMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: FF11MR12W1M1B11BOMA1
説明: MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ CoolSiC™+
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Tray
fet特徴 Silicon Carbide (SiC)
部地位 Active
-マックス -
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 Module
Vgs(th) (Max) @ Id 5.55V @ 40mA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 11mOhm @ 100A, 15V
サプライヤー装置パッケージ Module
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 15V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1200V (1.2kV)
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 7950pF @ 800V
現在25%で安全連続(id) @°c 100A

在庫が 7 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$155.83 $152.71 $149.66
最小: 1

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