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FF11MR12W1M1B11BOMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	FF11MR12W1M1B11BOMA1
説明:	MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	CoolSiC™+
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Tray
fet特徴	Silicon Carbide (SiC)
部地位	Active
-マックス	-
取付タイプ	Chassis Mount
パケット/場合	Module
Vgs(th) (Max) @ Id	5.55V @ 40mA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	11mOhm @ 100A, 15V
サプライヤー装置パッケージ	Module
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	250nC @ 15V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	1200V (1.2kV)
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	7950pF @ 800V
現在25%で安全連続(id) @°c	100A