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FF150R12RT4HOSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: FF150R12RT4HOSA1
説明: IGBT MODULE 1200V 150A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ C
igbtタイプ Trench Field Stop
部地位 Active
-マックス 790W
構成 Half Bridge
取付タイプ Surface Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
現在-コレクター・Ic (Max) 150A
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 18 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$62.51 $61.26 $60.03
最小: 1

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