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FF225R12ME4BOSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: FF225R12ME4BOSA1
説明: IGBT MODULE VCES 1200V 225A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
部地位 Active
-マックス 1050W
構成 2 Independent
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor Yes
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 225A
現在-コレクター・Ic (Max) 320A
入力容量(Cies) @ Vce 13nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 3mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 63 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$107.51 $105.36 $103.25
最小: 1

要求引用

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