画像は参考までに、仕様書を参照してください

FF50R12RT4HOSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: FF50R12RT4HOSA1
説明: IGBT MODULE 1200V 50A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
部地位 Active
-マックス 285W
構成 Half Bridge
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
現在-コレクター・Ic (Max) 50A
入力容量(Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 56 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$45.90 $44.98 $44.08
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

VS-CPV364M4KPBF
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$45.15
GB100XCP12-227
GeneSiC Semiconductor
$223.62
MG12450WB-BN2MM
Littelfuse Inc.
$201.35
MG12300D-BN2MM
Littelfuse Inc.
$170.4
MG12400D-BN2MM
Littelfuse Inc.
$167.62