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FP10R12W1T4B3BOMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: FP10R12W1T4B3BOMA1
説明: IGBT MODULE VCES 600V 100A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
部地位 Active
-マックス 105W
構成 Three Phase Inverter
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor Yes
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 10A
現在-コレクター・Ic (Max) 20A
入力容量(Cies) @ Vce 600pF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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